Versione di RAM per personal computer che permette di accelerare le operazioni
accesso mantenendo validi i dati in uscita, anziché azzerarli, mentre
sta già iniziando la richiesta per un nuovo gruppo di dati. Offre i benefici
migliori su sistemi che sono privi di cache. Una forma di memoria dinamica
ad accesso casuale (DRAM) che accelera l'accesso a posizioni di memoria
consecutive in due modi. 1) si parte dall'assunzione che l'accesso successivo
sarà indirizzato a una cella che si trova nella stessa riga di transistor
a cui era indirizzato l'accesso precedente (la RAM è composta di celle
a transistor, suddivise per righe e per colonne). 2) si conservano i dati
in uscita così che possano ancora essere letti anche se nel frattempo
il computer sta modificando il contenuto di una locazione di memoria adiacente.
Questa particolare architettura accelera l'accesso alla memoria tipicamente
del 5% in presenza di cache oppure del 30-50% in assenza di cache di secondo
livello, senza aumentare significativamente il costo del chip di RAM.
Ha avuto un breve successo tra il 1996 e il 1997, rimpiazzando la RAM
dinamica di tipo FPM, per poi essere a sua volta rimpiazzata dalla SDRAM.
Le EDO RAM sono nate dopo le SDRAM, ma sono state utilizzate prima di
queste poiché consentivano di utilizzare senza modifiche le vecchie schede
madri già sviluppate per la memoria FPM. La DRAM di tipo EDO (Extended
Data Out) perfeziona il funzionamento della FPM permettendo di accedere
alla successiva colonna mentre il computer sta ancora prelevando dalla
memoria il dato appena letto nella colonna precedente. La tecnica consiste
nell'alterare il funzionamento interno di una DRAM modificando una connessione
interna verso il buffer di output. In sostanza le informazioni vengono
mantenute disponibili per la CPU anche quando il successivo ciclo di accesso
è già iniziato. L'EDO DRAM è stata introdotta nei comuni pc circa un anno
e mezzo fa ed è diventata da allora la scelta privilegiata di molti produttori
visto che costituisce una semplice ed economica evoluzione della memoria
FPM. L'EDO DRAM funziona in modo simile alla FPM DRAM: viene attivata
una riga di memoria e poi viene attivata la colonna. Ma quando si trova
il pezzo d'informazione, invece di disattivare la colonna e spegnere il
buffer di output (come avviene nella FPM DRAM), la memoria EDO mantiene
acceso il buffer dei dati in uscita finché inizia l'accesso alla colonna
seguente oppure il ciclo di lettura successivo (il segnale di accessibilità
dei dati in uscita dura più a lungo, vale a dire viene esteso , da cui
il nome di questa particolare versione di DRAM). Mantenendo acceso il
buffer più a lungo, si acquista una maggiore flessibilità nella temporizzazione
della scheda madre; inoltre, potendo abilitare immediatemente il successivo
ciclo di lettura, si eliminano o si riducono gli stati d'attesa e si velocizzano
i trasferimenti burst (a raffica). La EDO DRAM permette idealmente un
ciclo di lettura burst più veloce della FPM DRAM: 6-2-2-2 contro 6-3-3-3.
|
Segnala errore sito
